MOS管中相对最大的寄生电容是
时间:2023-03-20 09:40:13来源:招生考试网(zsksw.net)作者:招生考试网
MOS管中相对最大的寄生电容是1、MOS管中相对最大的寄生电容是()。A、栅极氧化层电容B、耗尽层电容C、源漏交叠电容D、结电容答案:A2、 下列说法正确的是( )。A、MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。B、MO
MOS管中相对最大的寄生电容是
1、MOS管中相对最大的寄生电容是()。
A、栅极氧化层电容
B、耗尽层电容
C、源漏交叠电容
D、结电容
答案:A
2、 下列说法正确的是( )。
A、MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。
B、MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。
C、MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。
D、MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。
答案:B
3、工作在()区的MOS管,其跨导是恒定值。
A、截止
B、三极管
C、深三极管
D、饱和
答案:D |
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