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MOS管中相对最大的寄生电容是

时间:2023-03-20 09:40:13来源:招生考试网(zsksw.net)作者:招生考试网


MOS管中相对最大的寄生电容是1、MOS管中相对最大的寄生电容是()。A、栅极氧化层电容B、耗尽层电容C、源漏交叠电容D、结电容答案:A2、 下列说法正确的是( )。A、MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。B、MO

MOS管中相对最大的寄生电容是

1、MOS管中相对最大的寄生电容是()。

A、栅极氧化层电容

B、耗尽层电容

C、源漏交叠电容

D、结电容

答案:A

2、 下列说法正确的是( )。

A、MOS管的源漏对称,所以器CGS和CGD相同。

B、MOS器件中存在多个寄生电容,在不同频率下,器件的工作特性有较大差异。

C、MOS管的栅极和源极电容值,与MOS管工作状态无关。

D、MOS中最大的寄生电容是栅漏电容。

答案:B

3、工作在()区的MOS管,其跨导是恒定值。

A、截止

B、三极管

C、深三极管

D、饱和

答案:D





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